Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

STMicroelectronics STGP3HF60HD IGBT, 7.5 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole, Транзистор

8294379
Номер производителя: STGP3HF60HDПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
347.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfSTGD3HF60HD, STGP3HF60HD, 4.5A, 600V Very Fast IGBT with Ultrafast Diode
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
38 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
600 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
7.5 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию