* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
GT40QR21, Silicon N-Channel IGBTESD Control Selection Guide V1Емкость затвора:
1500пФ
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
230 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±25В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
40 A
Переключение скоростей:
2.5МГц
Рабочая температура - максимальная:
175 °C
Размеры:
15.5 x 4.5 x 20мм
Рейтинг энергии:
0.29мДж
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-3P
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |